根據華信研究院資料顯示，費城半導體指數上周下跌5.83%，低于納斯達克綜合指數0.35個百分點；臺灣半導體指數下跌0.64%，低于臺灣資訊科技指數0.14個百分點。中國半導體發展指數下跌4.61%，低于A股指數0.45個百分點。上周中國半導體上市公司中，有8家公司上漲，58家公司下跌。其中漲幅最大的公司是國微技術（+30.00%）。
從走勢看，上周中國半導體發展指數有所下降。在中美科技博棄不斷升級的背景下，強化國家戰略科技力量，打造自主、可控、安全、可靠的半導體產業鏈供應鏈，實現高水平科技自立自強已經迫在眉睫，半導體行業國產替代亟需加速。
“新型舉國體制”助力半導體整體產業國產替代加速，行業核心技術鏈有望受益。“新型舉國體制”旨在將市場機制和舉國體制的優勢相結合，高效配置科技力量和創新資源“集中力量辦大事”。由于半導體產業具有產業鏈條長、技術攻關難度大、投資力度大和回報周期長等特點，所以僅靠市場自發力量很難形成突破。目前我國半導體產業已經在成熟制程取得重大突破，但在先進制程和產業鏈的關鍵點上仍存在一定的阻力。尤其是在半導體上游設備、材料等板塊，美國對運算芯片、存儲制造設備、14nm以下的芯片制造工具、EUV和DUV光刻機等環節的制裁，形成了對我國關鍵核心技術封鎖的威脅。在新型舉國體制下，關鍵設備及核心技術上下游產業鏈將通過政策的導向，得到產業資源的優先配置。新型舉國體制將充分利好上游設備、材料板塊，行業內龍頭企業有望顯著受益。
設計領域：
國內集成電路產業再添2個研究院，加快突破關鍵核心技術。中國電科產業基礎研究院、芯片技術研究院正式揭牌成立。其中，芯片技術研究院是中國電科經中央編辦批準設立的研發機構，將依托園區集成電路產業集聚優勢，以及中國電科第24所、26所、44所技術積累和資源優勢，成體系布局集成電路、微聲電子、半導體光電子、傳感器等芯片技術，完善芯片產業鏈建設，確保產業鏈供應鏈安全。中國電科表示，組建產業基礎研究院、芯片技術研究院，將推動集成電路與核心元器件攻關，加快突破關鍵核心技術。中國電科將以研究院揭牌成立為新的起點，瞄準國家急迫需要和長遠需求，系統整合集成電路與核心元器件優勢資源，全力打好產業基礎高級化、產業鏈現代化攻堅戰，努力在世界一流科研院所建設方面率先取得突破。
制造領域：
我國科學家在下一代光電芯片制造領域獲重大突破。9月14日晚，國際頂級學術期刊《自然》發表了我國科學家在下一代光電芯片制造領域的重大突破。南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊，發明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部，通過控制激光移動的方向，在晶體內部形成有效電場，實現三維結構的直寫和擦除。這一新技術，突破了傳統飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸，從傳統的1微米量級（相當于頭發絲的五十分之一），首次縮小到納米級，達到30納米，大大提高了加工精度。這一重大發明，未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調制器、聲學濾波器、非易失鐵電存儲器等關鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景。
設備領域：
設備零部件，半導體國產化替代的深水區。從產業鏈結構來看，半導體設備零部件處于半導體產業鏈的最上游，也是國產化替代進程中較為艱難的領域。究其原因在于設備零部件具有品類繁多、市場分散、認證壁壘高等因素。立足當下，隨著國內半導體晶圓廠及設備公司營收規模持續上升，以及其對自身供應鏈安全的考慮，將有望帶動一批半導體設備零部件相關公司發展壯大。
東莞兆恒機械擁有超過18年的半導體設備精密零件制造經驗，持續為國內外眾多半導體設備企業制造過無數的半導體設備高精密零部件，兆恒基于年均20年的多國籍技術管理團隊和高端的進口硬件設備群，及執行嚴謹的質量管理系統得以保駕護航，受到客戶持續的信賴和好評
材料行業：
碳化硅市場滲透率不斷上升，產業鏈迎來規模化發展。碳化硅的發展與電動汽車市場的擴張緊密相連，隨著新能源汽車市場規模持續擴大，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業，其動態是行業的重要風向標，近期三家企業均發表了對碳化硅行業的積極展望，反映車規級碳化硅產品的滲透率情況好于預期。我們認為碳化硅產業已經進入爆發前夕，隨著新能源車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進，碳化硅器件在主逆變器、DC／DC轉換系統、車載充電系統及充電樁等領域有望迎來規模化發展。
信息來源：華信研究院
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