日前，拓荊科技表示公告，公司擬使用超募資金9.3億元用于半導體先進工藝裝備研發與產業化項目建設。
據拓荊科技表示，項目將在上海市自由貿易試驗區臨港新片區建設研發與產業化基地，用于先進ALD設備及工藝的研發，并實現以臨港為中心客戶群所需半導體設備的產業化。此項目的實施，將助推公司業務規模的持續增長，同時也有助于公司不斷加強自身在細分領域的競爭優勢，始終保持業內領先地位。
項目通過布局半導體先進工藝裝備的研發與產業化，以滿足集成電路晶圓制造產線的需求，有利于推動集成電路關鍵設備的發展，是落實國家產業規劃、實現我國集成電路產業鏈高端設備供給自主可控的必要舉措。
隨著集成電路芯片技術的迭代升級，芯片結構復雜度不斷提高，對薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢對薄膜沉積設備提出了更高的技術要求，市場對于高性能薄膜設備的依賴逐漸增加。項目通過新建研發及生產環境，在現有技術儲備的基礎上，研制適用于先進技術節點的薄膜沉積設備，并實現以臨港為中心客戶群所需半導體設備的產業化，有利于提升產品技術水平及核心競爭力，并鞏固行業領先地位。
隨著半導體行業整體景氣度的提升，全球半導體設備市場呈現快速增長態勢，拉動市場對薄膜沉積設備需求的增加。Maximize Market Research預計全球半導體薄膜沉積設備市場規模在2025年將達到340億美元，2020年-2025年期間保持年復合13.3%的增長速度。
項目通過布局適用于先進制程領域的半導體設備，可以進一步提高邏輯電路、存儲芯片等集成電路制造設備領域的市場份額，在即將到來的新興應用領域及其所需高端芯片的增長期中奪得先機，進而抓住市場機遇迅速擴大企業規模。
消息來源：集微網
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